Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
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697En existencias
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: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
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700En existencias
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: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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211En existencias
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Máx.: 50
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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96En existencias
1,000Se espera el 1/7/2026
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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117En existencias
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: 3,000

MOSFETs
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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700En existencias
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: 3,000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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110En existencias
3,000Se espera el 29/1/2027
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Máx.: 50
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 100 V, 4.6 mOhm max., 119 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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700En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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594En existencias
600Se espera el 23/7/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
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12En existencias
600Se espera el 26/3/2027
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: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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177En existencias
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: 200

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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512En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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11,091En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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774En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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19,979En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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38,306En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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4,839En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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3,719En existencias
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: 3,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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6,374En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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2,465En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1,544En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
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63En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole SDIPHP-30
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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26,933En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2,409En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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1,389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel