|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- SCTHC250N120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$76.79
-
33En existencias
-
61En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
|
|
33En existencias
61En pedido
|
|
|
$76.79
|
|
|
$60.87
|
|
|
$51.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
STPAK-4
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$5.07
-
637En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT140R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
637En existencias
|
|
|
$5.07
|
|
|
$3.62
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.62
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.88
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.88
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$7.07
-
374En existencias
-
600Se espera el 8/9/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
|
|
374En existencias
600Se espera el 8/9/2026
|
|
|
$7.07
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.38
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.75
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
- SH68N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.40
-
173En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SH68N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
|
|
173En existencias
|
|
|
$20.40
|
|
|
$14.57
|
|
|
$10.63
|
|
|
$10.63
|
|
|
$10.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
200
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N023M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$18.62
-
489En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
489En existencias
|
|
|
$18.62
|
|
|
$11.61
|
|
|
$10.27
|
|
|
$9.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
- STW65N045M9-4
- STMicroelectronics
-
1:
$10.47
-
580En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
|
|
580En existencias
|
|
|
$10.47
|
|
|
$6.22
|
|
|
$5.87
|
|
|
$5.23
|
|
|
$4.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- BU508AF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.11
-
11,068En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
11,068En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.33
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.63
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
- STE145N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$30.48
-
760En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
|
|
760En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
ISOTOP
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
- STL130N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.99
-
16,971En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
|
|
16,971En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.869
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.852
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
- STL8N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.53
-
38,160En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
|
|
38,160En existencias
|
|
|
$1.53
|
|
|
$0.936
|
|
|
$0.639
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.478
|
|
|
$0.478
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FD
- STMicroelectronics
-
1:
$7.01
-
4,499En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
4,499En existencias
|
|
|
$7.01
|
|
|
$4.74
|
|
|
$4.36
|
|
|
$3.91
|
|
|
$3.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
- STGIK10M120T
- STMicroelectronics
-
1:
$44.97
-
63En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
|
|
63En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
SDIPHP-30
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$17.51
-
1,332En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
1,332En existencias
|
|
|
$17.51
|
|
|
$12.47
|
|
|
$11.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.52
-
41,533En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41,533En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.347
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.332
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD54008-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.56
-
1,538En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
1,538En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD54008L-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.55
-
3,649En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
3,649En existencias
|
|
|
$8.55
|
|
|
$6.15
|
|
|
$5.56
|
|
|
$5.55
|
|
|
$5.26
|
|
|
$4.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT (5x5)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.35
-
5,874En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
5,874En existencias
|
|
|
$11.35
|
|
|
$7.90
|
|
|
$7.28
|
|
|
$7.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$7.18
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
- STL57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$12.39
-
2,439En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
|
|
2,439En existencias
|
|
|
$12.39
|
|
|
$8.30
|
|
|
$7.16
|
|
|
$7.03
|
|
|
$5.96
|
|
|
$5.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
2,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,383En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.49
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$25.42
-
228En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
228En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
- STB31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.91
-
840En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
|
|
840En existencias
|
|
|
$5.91
|
|
|
$3.87
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.16
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STD12N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.41
-
2,383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
2,383En existencias
|
|
|
$3.41
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LOW VOLT TRAN
- 2STR2230
- STMicroelectronics
-
1:
$0.60
-
16,077En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-2STR2230
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LOW VOLT TRAN
|
|
16,077En existencias
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.179
|
|
|
$0.135
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.103
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
- STB140NF55T4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.49
-
1,928En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB140NF55
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1,928En existencias
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$3.49
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$2.27
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$1.60
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$1.34
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$1.09
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Ver
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$1.04
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$1.01
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$1.00
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
- STB24N60M2
- STMicroelectronics
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1:
$3.77
-
1,428En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60M2
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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1,428En existencias
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$3.77
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$2.45
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$1.73
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$1.44
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$1.24
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Ver
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$1.22
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$1.14
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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