Microchip Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Resultados: 204
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente Voltaje de corte puerta-fuente Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0 Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 600 mV 30 V 4 V - 25 mA 175 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 4 V 175 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT SMD-3 N-Channel Single 30 V 30 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT Single 30 V - 30 V 80 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 1.3 V 30 V 10 V - 90 mA 75 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT P-Channel Single 30 V 30 V 75 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 800 mV 30 V 6 V - 60 mA 100 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 600 mV 30 V 4 V - 25 mA 175 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Si SMD/SMT UB-4 P-Channel - 600 mV 30 V 4 V - 25 mA 175 Ohms 500 mW - 65 C + 200 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 30V 10mA 300mW JFET THT Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 6 V - 10 mA 300 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 30 V 30 V 8 V 20 mA 300 mW - 55 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 400 mV 40 V 10 V 150 mA 12 mA 30 Ohms 1.8 W - 65 C + 175 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 400 mV 40 V 5 V 75 mA 12 mA 60 Ohms 1.8 W - 65 C + 175 C Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 40V 360mW 50 mA JFET THT Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 40V 360mW 50 mA Round-End JFET No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
No
Si Through Hole TO-18-3