HiPerFET and MOSFET Power Devices

IXYS HiPerFET and MOSFET Power Devices are available in the SMPD package, which is much lighter (typically by 50%) than comparable conventional power modules. This enables the designer to create lower-weight power systems. Due to its compact and ultra-low profile package, it is possible to use the same heat sink for multiple devices, which saves PCB space. An added benefit of being smaller and lighter is that it provides better protection against vibrations and g-forces, especially if used in portable appliances. This benefit also increases the life expectancy and reliability of the devices.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET 24SMPD N-CH 75V 500A
Hoja de datos
1En existencias
1,120Se espera el 24/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 75 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX1F210N30P3
IXYS Módulos MOSFET SMPD 300V 108A N-CH POLAR3
Hoja de datos
260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 300 V 108 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX1T660N04T4
IXYS Módulos MOSFET Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 40 V 660 A 850 uOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MMIX2F60N50P3
IXYS Módulos MOSFET SMPD 500V 30A N-CH POLAR3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 20

Si SMD/SMT N-Channel 500 V 30 A 120 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 320 W HiPerFET Tube