STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 2,265En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.06 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package 818En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 2,122En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 431En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.4Ohm 1.2A SuperMESH3 FET 1,444En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.2 A 6.7 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5 671En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 12 A 410 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 922En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 984En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 556En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI 693En existencias
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Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK 913En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 244En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 225En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET 496En existencias
2,000Se espera el 29/6/2026
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AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET 910En existencias
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Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET 1,022En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO 1,608En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH 2,333En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 5.4 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET 3,051En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET 5,946En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

N-Channel 290 A 1.1 mOhms Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET 2,330En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp 2,017En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 2,731En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II 2,119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 160 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID) 2,732En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 175 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 44 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel