Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
Hoja de datos
1,391En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 350 V 231 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Hoja de datos
3,153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 7.5 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 12Ohm
Hoja de datos
1,579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 400 V 175 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Hoja de datos
2,013En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 7.5 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
Hoja de datos
1,949En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Ammo Pack
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Hoja de datos
1,756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 100 V 500 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 3Ohm
Hoja de datos
2,080En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 40 V 350 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 56 A TO-264
Hoja de datos
42En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 800 V 17 A TO-247
Hoja de datos
19En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 18 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-247
Hoja de datos
38En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268
Hoja de datos
38En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 300 V 54 A 61 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 75 Ohm TO-247
Hoja de datos
29En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 195 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 24 A TO-247
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 25 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 200 V 20 mOhm TO-247 MAX
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 20 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-268
Hoja de datos
99En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-247 MAX
Hoja de datos
3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 49 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 7 A TO-247
Hoja de datos
86En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.76 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 12 A TO-247
Hoja de datos
58En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-247 MAX
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 47 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 470 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 18 Ohm TO-247
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 27 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 84 A TO-247 MAX
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 500 V 84 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Tube
Microchip Technology APT5020BVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 500 V 20 Ohm TO-247
Hoja de datos
1,060En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 225 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
Microchip Technology APT10050LVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-264
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 500 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube