Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,765En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-268 69En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 200 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 161En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 9 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,896En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 240 V 190 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology APT1201R6SVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 1200 V 1.6 Ohm TO-268 29En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 230 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
Microchip Technology APT8030LVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-264 25En existencias
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 510 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,749En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 250 V 215 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,986En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 240 V 190 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,022En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 400 V 175 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 2,755En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm 1,301En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 350 V 86 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,570En existencias
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Carrete: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 3 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology APT5017BVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-247 27En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 300 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
Microchip Technology APT1003RKLLG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 3 Ohm TO-220 11En existencias
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Si Tube
Microchip Technology APT10050B2VFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-247 MAX 7En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 335 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Microchip Technology APT10045LLLG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 45 Ohm TO-264 23En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 kV 23 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 565 W Tube
Microchip Technology APT11F80B
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 800 V 11 A TO-247 83En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm 933En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-39-3 N-Channel 1 Channel 60 V 410 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90V 4Ohm 1,259En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-39-3 N-Channel 1 Channel 10 V 350 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement Bulk

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 60Ohm 50,333En existencias
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Carrete: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 450 V 100 mA 60 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.3 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-264 701En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 500 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 90V Depletion Mode 3,369En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-5 N-Channel 1 Channel 90 V 200 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 490 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247 23En existencias
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SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 22 mOhms - 10 V, 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 455 W Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V 42Ohm 3,797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 170 mA 42 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 2.5 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 12Ohm 4,022En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 300 V 200 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.6 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel