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Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 112

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Fabricante = Toshiba Nombre comercial = DTMOSIV

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.93
251En existencias

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TK12A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

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45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

TK12A60W,S4VX
Toshiba
1: $3.31
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

TK12E60W,S1VX
Toshiba
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TK12E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK12E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

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- 30 V, 30 V

3.7 V

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

TK14A65W,S5X
Toshiba
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TK14A65W,S5X

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757-TK14A65WS5X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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Toshiba
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TK14N65W,S1F

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757-TK14N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
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TK16A60W5,S4VX

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757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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4.5 V

43 nC

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+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

TK16A60W,S4VX
Toshiba
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TK16A60W,S4VX

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757-TK16A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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TK16J60W,S1VE
Toshiba
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TK16J60W,S1VE

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16N60W,S1VF
Toshiba
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TK16N60W,S1VF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK17A65W,S5X
Toshiba
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TK17A65W,S5X

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W

TK17A80W,S4X
Toshiba
1: $5.29
254En existencias

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TK17A80W,S4X

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757-TK17A80W

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W

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32 nC

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45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W

TK17E80W,S1X
Toshiba
1: $6.20
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK17E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W

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$3.01

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800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

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+ 150 C

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DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK19A50W,S5X
Toshiba
1: $3.37
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK19A50W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK19A50WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

18.5 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

TK20A60W5,S5VX
Toshiba
1: $4.12
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

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600 V

20 A

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- 30 V, 30 V

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55 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

TK20A60W,S5VX
Toshiba
1: $3.84
147En existencias
100Se espera el 10/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK20A60W,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20A60WS5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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147En existencias

100Se espera el 10/2/2026

$3.84

$1.96

$1.77

$1.45

$1.33

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TO-220FP-3

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1 Channel

600 V

20 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20E60W5,S1VX
Toshiba
1: $5.02
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20E60W5,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20E60W5S1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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$5.02

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1 Channel

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20 A

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- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

TK20E60W,S1VX
Toshiba
1: $6.77
68En existencias

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TK20E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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$3.33

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600 V

20 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20J60W,S1VE
Toshiba
1: $6.94
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK20J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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$6.94

$4.06

$3.43

$2.99

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TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

155 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20N60W5,S1VF
Toshiba
1: $5.41
98En existencias

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TK20N60W5,S1VF

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757-TK20N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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$5.41

$3.14

$2.60

$2.21

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TO-247-3

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600 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

TK20N60W,S1VF
Toshiba
1: $7.89
58En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK20N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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$7.89

$4.69

$3.94

$3.59

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

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+ 150 C

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Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK28A65W,S5X
Toshiba
1: $5.66
131En existencias

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TK28A65W,S5X

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757-TK28A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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131En existencias

$5.66

$2.98

$2.78

$2.26

$2.25

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

94 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK28N65W5,S1F
Toshiba
1: $8.27
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N.º de artículo del Fabricante
TK28N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK28N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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60En existencias

$8.27

$4.65

$4.07

$3.73

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

TK31A60W,S4VX
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK31A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK31A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

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Hoja de datos

43En existencias

50Se espera el 16/3/2026

$8.28

$4.51

$4.11

$3.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

TK31E60W,S1VX
Toshiba
1: $10.03
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK31E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

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Hoja de datos

34En existencias

$10.03

$6.18

$5.62

$5.32

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

TK31N60W5,S1VF
Toshiba
1: $9.39
3En existencias
30Se espera el 17/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK31N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

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Hoja de datos

3En existencias

30Se espera el 17/7/2026

$9.39

$5.45

$4.69

$4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
27.6 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC
50 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
156 W
165 W
180 W
230 W
240 W
270 W
400 W