BIMOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.7KV 16A N-CH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 16 A - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement BIMOSFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube