STMicroelectronics MOSFETs de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 448
Mult.: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

AEC-Q100
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

AEC-Q100
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

AEC-Q100