Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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IPP050N10NF2SAKMA1

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Infineon Technologies
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IPP055N08NF2SAKMA1

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Infineon Technologies
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IPP030N06NF2SAKMA1

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IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.27
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IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

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N-Channel

1 Channel

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52 A

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Tube

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IPA082N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
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IPA082N10NF2SXKSA1

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726-IPA082N10NF2SXKS

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Enhancement

Tube

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IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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IPP024N08NF2SAKMA1

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726-IPP024N08NF2SAKM

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579En existencias

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$3.59

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

182 A

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Enhancement

Tube

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IPA030N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
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IPA030N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA030N10NF2SXKS

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

100 V

83 A

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3 V

154 nC

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41 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.44
2,000Se espera el 7/1/2027

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IPP016N08NF2SAKMA1

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726-IPP016N08NF2SAKM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$2.27

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80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

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170 nC

- 55 C

+ 175 C

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