Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V SSM3K357R,LF Toshiba 1: $0.63 32,567En existencias 51,000Se espera el 16/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K357R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K357RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	32,567En existencias 51,000Se espera el 16/10/2026	Cinta cortada $0.63 $0.284 $0.249 $0.188 Envase tipo carrete $0.142 Ver $0.187 $0.123 $0.102 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	60 V	650 mA	1.8 Ohms	12 V	1.3 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V SSM6N357R,LF Toshiba 1: $1.29 17,466En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N357R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N357RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	17,466En existencias	Cinta cortada $1.29 $0.90 $0.569 $0.352 Envase tipo carrete $0.231 Ver $0.26 $0.199 $0.174 $0.142	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	2 Channel	60 V	650 mA	1.8 Ohms	12 V	1.3 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V SSM3K17FU,LF Toshiba 1: $0.28 14,963En existencias 18,000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K17FU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K17FULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	14,963En existencias 18,000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada $0.28 $0.121 $0.105 $0.078 Envase tipo carrete $0.056 Ver $0.047 $0.044 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-323-3	N-Channel	1 Channel	50 V	100 mA	20 Ohms	7 V	900 mV		- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V SSM3K2615TU,LF Toshiba 1: $0.72 5,970En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K2615TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	5,970En existencias	Cinta cortada $0.72 $0.327 $0.288 $0.219 Envase tipo carrete $0.167 Ver $0.143 $0.134	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2 A	300 mOhms	20 V	800 mV	6 nC		+ 150 C	1.6 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package SSM6K407TU,LF Toshiba 1: $0.70 791En existencias 9,000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6K407TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K407TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	791En existencias 9,000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada $0.70 $0.314 $0.276 $0.209 Envase tipo carrete $0.16 Ver $0.139 $0.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	1 Channel	60 V	2 A	440 mOhms	20 V	2 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba 1: $0.45 7,308En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N17FU(TE85L,F) N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N17FUTE85LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	7,308En existencias	Cinta cortada $0.45 $0.198 $0.183 $0.171 Envase tipo carrete $0.096 Ver $0.082 $0.073 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SC-70-6	N-Channel	2 Channel	50 V	100 mA	20 Ohms	7 V	900 mV		- 55 C	+ 150 C	200 mW	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET SSM3K2615R,LF Toshiba 1: $0.82 68,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3K2615R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba mosv mosfets	Hoja de datos	68,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SSM3K2615R,LF Existencias: 0 En pedido: 29,000 Se espera el 6/11/2026 39,000 Se espera el 27/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada $0.82 $0.371 $0.327 $0.249 Envase tipo carrete $0.192 Ver $0.245 $0.189 $0.167 $0.159 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2 A	300 mOhms	20 V	800 mV	6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	MOSV	Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSV MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte