40V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon 40V OptiMOS Power MOSFETs feature 35% lower RDS(on) and 45% lower Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. These devices are optimized for synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) as well as a broad range of industrial applications such as motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converters. In addition, this new generation of 40V devices offers higher switching frequencies and is enabled, which results in even higher power density.  A monolithic integrated Schottky-like diode in the 40V SuperSO8 package (5mm x 6mm) leads to higher efficiency and a drastic reduction of the voltage overshoot. This in turn reduces the need for a snubber circuit and saves engineering effort.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 32,212En existencias
30,000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
$2.34
$1.14
$1.02
$0.811
Envase tipo carrete
$0.688
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 31,432En existencias
Cinta cortada
$1.83
$0.871
$0.777
$0.613
$0.594
Envase tipo carrete
$0.489
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 77 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
13,149Se espera el 7/1/2027
Cinta cortada
$2.26
$1.44
$0.967
$0.784
$0.756
Envase tipo carrete
$0.651
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 900 uOhms 20 V 1.2 V 122 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center Gate package
5,000Se espera el 7/9/2027
Cinta cortada
$3.80
$2.23
$1.74
$1.44
$1.38
Envase tipo carrete
$1.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 271 A 1 mOhms 12 V 1.7 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center Gate Dual-Side Cooled (DSC) package
5,000Se espera el 7/9/2027
Cinta cortada
$3.89
$2.29
$1.82
$1.51
$1.45
Envase tipo carrete
$1.21
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms 12 V 1.7 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel