Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Enhancement

OptiMOS

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40 V

166 A

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BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.33
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726-BSC007N04LS6ATMA

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BSZ024N04LS6ATMA1
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40 A

7 mOhms

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