Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 3

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL NTMFS3D2N10MDT1G onsemi 1: $5.11 885En existencias 4,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D2N10MDT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D2N10MDT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntmfs3d2n10md n channel mosfet	Hoja de datos	885En existencias 4,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D2N10MDT1G Existencias: 885 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,500 Se espera el 9/7/2027 3,000 Se espera el 23/7/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $5.11 $3.05 $2.45 $2.18 $1.88 Envase tipo carrete $1.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	142 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	155 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL NTTFS012N10MDTAG onsemi 1: $2.54 5,183En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS012N10MDTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS012N10MDTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL Obtenga más información sobre onsemi nttfs012n10md n channel mosfet	Hoja de datos	5,183En existencias	Cinta cortada $2.54 $1.63 $1.11 $0.943 Envase tipo carrete $0.79 Ver $0.835 $0.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si		WDFN-8													PowerTrench	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL NTMFS4D2N10MDT1G onsemi 1: $3.85 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D2N10MDT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D2N10MDT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi shielded gate powertrench mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $3.85 $2.23 $1.81 $1.54 $1.31 Envase tipo carrete $1.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	100 V	113 A	4.3 mOhms	20 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel

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