|
|
Reguladores de tensión LDO 300 mA 28 V 5 uA quiescent current
- ST730M33R
- STMicroelectronics
-
1:
$0.93
-
15,489En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST730M33R
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión LDO 300 mA 28 V 5 uA quiescent current
|
|
15,489En existencias
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.673
|
|
|
$0.581
|
|
|
$0.518
|
|
|
$0.42
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.461
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.413
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
- ST732M50R
- STMicroelectronics
-
1:
$0.90
-
5,001En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST732M50R
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
|
|
5,001En existencias
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.656
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.382
|
|
|
$0.467
|
|
|
$0.446
|
|
|
$0.425
|
|
|
$0.382
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
- STB11NM60T4
- STMicroelectronics
-
1:
$5.66
-
871En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM60
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
|
|
871En existencias
|
|
|
$5.66
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.70
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
- STBC03JR
- STMicroelectronics
-
1:
$3.74
-
3,891En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STBC03JR
|
STMicroelectronics
|
Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
|
|
3,891En existencias
|
|
|
$3.74
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.59
|
|
|
$2.34
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.91
|
|
|
$2.22
|
|
|
$2.20
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.91
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
- STBP120CVDK6F
- STMicroelectronics
-
1:
$1.39
-
2,543En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STBP120CVDK6F
|
STMicroelectronics
|
Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
|
|
2,543En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.921
|
|
|
$0.814
|
|
|
$0.679
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
- STCH03TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.59
-
3,313En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STCH03TR
|
STMicroelectronics
|
Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
|
|
3,313En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.936
|
|
|
$0.768
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.846
|
|
|
$0.839
|
|
|
$0.766
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD16N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.27
-
5,575En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
5,575En existencias
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.857
|
|
|
$0.727
|
|
|
$0.694
|
|
|
$0.652
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
- STD3NK50ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.06
-
5,733En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
|
|
5,733En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$0.989
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.698
|
|
|
$0.668
|
|
|
$0.569
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD46P4LLF6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.06
-
3,813En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD46P4LLF6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
3,813En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$0.991
|
|
|
$0.886
|
|
|
$0.703
|
|
|
$0.615
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.674
|
|
|
$0.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
- STD4N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
3,505En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
3,505En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.906
|
|
|
$0.864
|
|
|
$0.775
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración LSM6DSL adapter board for a standard DIL24 socket
- STEVAL-MKI178V2
- STMicroelectronics
-
1:
$18.18
-
75En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STEVAL-MKI178V2
|
STMicroelectronics
|
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración LSM6DSL adapter board for a standard DIL24 socket
|
|
75En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STF11NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$7.79
-
861En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
861En existencias
|
|
|
$7.79
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.85
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
- STF13N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.04
-
1,202En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
|
|
1,202En existencias
|
|
|
$5.04
|
|
|
$2.61
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF23N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.52
-
780En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
780En existencias
|
|
|
$6.52
|
|
|
$3.45
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF3LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.21
-
3,076En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
3,076En existencias
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.945
|
|
|
$0.766
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.687
|
|
|
$0.608
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF40N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$6.47
-
815En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
815En existencias
|
|
|
$6.47
|
|
|
$3.84
|
|
|
$3.12
|
|
|
$2.69
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
- STGAP2SICSC
- STMicroelectronics
-
1:
$5.83
-
1,654En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSC
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
|
|
1,654En existencias
|
|
|
$5.83
|
|
|
$4.45
|
|
|
$3.86
|
|
|
$3.69
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.31
|
|
|
$3.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
- STGD7NC60HT4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.54
-
1,426En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NC60H
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
|
|
1,426En existencias
|
|
|
$3.54
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
- STGF7H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.08
-
4,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
|
|
4,858En existencias
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.681
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.553
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.511
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
- STGIPN3H60A
- STMicroelectronics
-
1:
$9.12
-
466En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60A
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
|
|
466En existencias
|
|
|
$9.12
|
|
|
$5.42
|
|
|
$4.64
|
|
|
$4.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
- STGW75M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$7.37
-
628En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
|
|
628En existencias
|
|
|
$7.37
|
|
|
$4.23
|
|
|
$3.54
|
|
|
$3.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
- STH240N10F7-2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.29
-
907En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
|
|
907En existencias
|
|
|
$5.29
|
|
|
$3.46
|
|
|
$2.58
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STHU32N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.54
-
1,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STHU32N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
1,200En existencias
|
|
|
$6.54
|
|
|
$3.58
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
- STL12P6F6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.45
-
4,626En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL12P6F6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
|
|
4,626En existencias
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.472
|
|
|
$0.37
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
- STL260N4F7
- STMicroelectronics
-
1:
$3.93
-
5,018En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
|
|
5,018En existencias
|
|
|
$3.93
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|