|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQS460ENW-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.96
-
30,481En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQS460ENW-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
30,481En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.837
|
|
|
$0.662
|
|
|
$0.534
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.606
|
|
|
$0.532
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
- VS-8EWF12SLHM3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.84
-
29,820En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-8EWF12SLHM3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
|
|
29,820En existencias
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores 30A 1200V
- VS-E5TH3012-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.19
-
10,044En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-E5TH3012-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 30A 1200V
|
|
10,044En existencias
|
|
|
$4.19
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
- SI7336ADP-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.12
-
22,780En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI7336ADP-T1-E3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
|
|
22,780En existencias
|
|
|
$3.12
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.09
|
|
|
$1.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
- SI7625DN-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.77
-
34,574En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI7625DN-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
|
|
34,574En existencias
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.752
|
|
|
$0.592
|
|
|
$0.541
|
|
|
$0.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIP PNP 5A 50V
- 2SA2039-TL-E
- onsemi
-
1:
$1.59
-
45,085En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-2SA2039-TL-E
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIP PNP 5A 50V
|
|
45,085En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$0.815
|
|
|
$0.62
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 870
:
700
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
- BSS138-G
- onsemi
-
1:
$0.57
-
1,097,801En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-BSS138-G
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
|
|
1,097,801En existencias
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.349
|
|
|
$0.223
|
|
|
$0.167
|
|
|
$0.15
|
|
|
$0.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,400
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
- NTP055N65S3H
- onsemi
-
1:
$11.57
-
3,630En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTP055N65S3H
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
|
|
3,630En existencias
|
|
|
$11.57
|
|
|
$8.37
|
|
|
$6.97
|
|
|
$6.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$5.81
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,30MHz,28V
- MRF428
- MACOM
-
1:
$386.65
-
100En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF428
N.º de artículo de Mouser
937-MRF428
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,30MHz,28V
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
- CGHV1F025S
- MACOM
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV1F025S
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
-
1:
$68.93
-
613En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UG3SC120009K4S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
|
|
613En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
- XP10NA1R5TL
- YAGEO XSemi
-
1:
$5.04
-
1,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA1R5TL
|
YAGEO XSemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
|
|
1,858En existencias
|
|
|
$5.04
|
|
|
$3.35
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.27
|
|
|
$2.12
|
|
|
$2.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
- XP3N1R0MT
- YAGEO XSemi
-
1:
$1.96
-
2,960En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
603-XP3N1R0MT
|
YAGEO XSemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
|
|
2,960En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.84
|
|
|
$0.665
|
|
|
$0.522
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.517
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
- XP6NA3R0H
- YAGEO XSemi
-
1:
$1.92
-
2,962En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R0H
|
YAGEO XSemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
|
|
2,962En existencias
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.821
|
|
|
$0.649
|
|
|
$0.538
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.603
|
|
|
$0.537
|
|
|
$0.518
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
- IKQ100N120CS7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.86
-
1,112En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKQ100N120CS7XKS
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
|
|
1,112En existencias
|
|
|
$12.86
|
|
|
$7.74
|
|
|
$6.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
- IKQ120N120CS7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.94
-
531En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKQ120N120CS7XKS
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
|
|
531En existencias
|
|
|
$10.94
|
|
|
$8.06
|
|
|
$7.94
|
|
|
$7.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPB95R450PFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
1,914En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB95R450PFD7ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,914En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTC044N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.60
-
2,714En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-TC044N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,714En existencias
|
|
|
$6.60
|
|
|
$4.41
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.78
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET
- R6009RND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.55
-
5,127En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6009RND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET
|
|
5,127En existencias
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.825
|
|
|
$0.771
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.817
|
|
|
$0.757
|
|
|
$0.733
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores RECT 600V 12A SM STD RCOVR
- SE12DTLJHM3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.80
-
1,938En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SE12DTLJHM3/I
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores RECT 600V 12A SM STD RCOVR
|
|
1,938En existencias
|
|
|
$2.80
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.912
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.955
|
|
|
$0.859
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Rectificadores RECT 600V 20A SM STD RCOVR
- SE20DTLJ-M3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.97
-
2,604En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SE20DTLJ-M3/I
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores RECT 600V 20A SM STD RCOVR
|
|
2,604En existencias
|
|
|
$2.97
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.997
|
|
|
$0.932
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
- VS-3C06ET07S2L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.65
-
1,265En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C06ET07S2L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
|
|
1,265En existencias
|
|
|
$3.65
|
|
|
$2.38
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM POWER SIC
- VS-3C10ET07S2L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.68
-
1,329En existencias
-
1,600En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C10ET07S2L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM POWER SIC
|
|
1,329En existencias
1,600En pedido
|
|
|
$4.68
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.58
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Rectificadores 15A, 600V, "X" Series GEN 5 Fred PT
- VS-E5TX1506S2L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.48
-
1,480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-E5TX1506S2L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 15A, 600V, "X" Series GEN 5 Fred PT
|
|
1,480En existencias
|
|
|
$3.48
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
- NTH4L040N120M3S
- onsemi
-
1:
$15.00
-
1,036En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120M3S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
|
|
1,036En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
|
|
|
