Todos los resultados (160)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
EPC Efficient Power Conversion
2,500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2,500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2,980Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2,500Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2,000Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC Efficient Power Conversion
1,000Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
2,500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
12,099Se espera el 9/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
1,000Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2,500Se espera el 23/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
2,000Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 80V 15A
2,500Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC Efficient Power Conversion
1,000Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
EPC GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2,500Se espera el 20/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
500Se espera el 6/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
6,000Se espera el 7/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

EPC Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Development Board, 80V/10A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40

EPC Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Development Board, 350V/4A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40

EPC Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Development Board, 80V/40A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40

EPC Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Development Board, 100V/25A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40

EPC Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Development Board, 200V/8A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40

EPC Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Development Board, 40V/25A Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40