GaN FETs – Mouser Ecuador

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Tecnología
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor SGT070R70HTO STMicroelectronics 1: $9.96 354En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT070R70HTO N.º de artículo de Mouser 511-SGT070R70HTO Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt070r70hto transistor	Hoja de datos	354En existencias	Cinta cortada $9.96 $5.49 $5.13 $4.19 Envase tipo carrete $4.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TO-LL-11			700 V	26 A	70 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	231 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor SGT080R70ILB STMicroelectronics 1: $6.85 704En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT080R70ILB N.º de artículo de Mouser 511-SGT080R70ILB Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor	Hoja de datos	704En existencias	Cinta cortada $6.85 $3.65 $3.34 $3.13 $2.75 Envase tipo carrete $2.55 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	29 A	80 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor SGT105R70ILB STMicroelectronics 1: $5.95 760En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT105R70ILB N.º de artículo de Mouser 511-SGT105R70ILB Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt powergan transistors	Hoja de datos	760En existencias	Cinta cortada $5.95 $3.13 $2.85 $2.59 $2.49 Envase tipo carrete $2.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	21.7 A	105 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	158 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor SGT140R70ILB STMicroelectronics 1: $5.07 728En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT140R70ILB N.º de artículo de Mouser 511-SGT140R70ILB Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt powergan transistors	Hoja de datos	728En existencias	Cinta cortada $5.07 $3.62 $2.72 $2.62 Ver Envase tipo carrete $1.88 $2.22 $1.88 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	17 A	140 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	113 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor SGT190R70ILB STMicroelectronics 1: $4.03 790En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT190R70ILB N.º de artículo de Mouser 511-SGT190R70ILB Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt powergan transistors	Hoja de datos	790En existencias	Cinta cortada $4.03 $2.05 $1.86 $1.53 Envase tipo carrete $1.26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	11.5 A	190 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ILB STMicroelectronics 1: $3.82 776En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT240R70ILB N.º de artículo de Mouser 511-SGT240R70ILB Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt powergan transistors	Hoja de datos	776En existencias	Cinta cortada $3.82 $1.93 $1.75 Envase tipo carrete $1.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 100 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor SGT350R70GTK STMicroelectronics 1: $2.80 547En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT350R70GTK N.º de artículo de Mouser 511-SGT350R70GTK Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor	Hoja de datos	547En existencias	Cinta cortada $2.80 $1.38 $1.24 $0.996 Envase tipo carrete $0.832 Ver $0.96 $0.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	DPAK-3			700 V	6 A	350 mOhms	- 1.4 V, + 7 V	2.5 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ITK STMicroelectronics 1: $2.87 2,500Se espera el 20/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SGT240R70ITK N.º de artículo de Mouser 511-SGT240R70ITK Nuevo producto	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics sgt powergan transistors	Hoja de datos	2,500Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada $2.87 $1.42 $1.28 $1.03 Envase tipo carrete $0.858 Ver $0.992 $0.787 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	DPAK-2	N-Channel	1 Channel	700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor SGT65R65AL STMicroelectronics 3,000: $5.48 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante SGT65R65AL N.º de artículo de Mouser 511-SGT65R65AL	STMicroelectronics	GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete $5.48	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	25 A	65 mOhms	+ 6 V	1.8 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W		GaN-on-Si

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