Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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$1.85

$1.16

$0.764

$0.606

$0.539

Envase tipo carrete

$0.539

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: $3.83
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16,500Se espera el 5/1/2028

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16,500Se espera el 5/1/2028

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$3.83

$2.49

$1.74

$1.46

$1.36

Envase tipo carrete

$1.36

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
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125En existencias
4,500Se espera el 18/6/2027

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NTMFS0D6N04XMT1G

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863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

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125En existencias

4,500Se espera el 18/6/2027

Cinta cortada

$3.47

$2.26

$1.58

$1.32

$1.23

Envase tipo carrete

$1.23

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
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$2.85

$1.83

$1.25

$1.06

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Envase tipo carrete

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
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122En existencias
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NTMFS2D1N08XT1G

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onsemi

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$2.31

$1.62

$1.36

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Envase tipo carrete

$1.18

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Máx.: 3,000

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

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+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
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NTMFS3D2N10MDT1G

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863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

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$5.15

$3.37

$2.52

$2.11

$1.95

Envase tipo carrete

$1.95

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

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4 V

48 nC

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+ 150 C

155 W

Enhancement

PowerTrench

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
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863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

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Cinta cortada

$2.47

$1.58

$1.08

$0.915

Envase tipo carrete

$0.767

Ver

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Mult.: 1

: 1,500

WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
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1: $2.54
17En existencias
3,000Se espera el 6/10/2026

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NTMFS1D1N04XMT1G

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863-NTMFS1D1N04XMT1G

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3,000Se espera el 6/10/2026

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$2.54

$1.63

$1.11

$0.943

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Envase tipo carrete

$0.835

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
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112En existencias
6,000Se espera el 4/6/2027

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NTMFS1D3N04XMT1G

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863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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6,000Se espera el 4/6/2027

Cinta cortada

$2.29

$1.46

$0.979

$0.793

$0.711

Envase tipo carrete

$0.711

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

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38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: $3.17
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NTMFS2D5N08XT1G

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863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

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16,500En pedido

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$3.17

$2.06

$1.42

$1.19

Envase tipo carrete

$1.19

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: $2.96
7,857En existencias
11,780En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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7,857En existencias

11,780En pedido

Cinta cortada

$2.96

$1.90

$1.31

$1.06

$0.989

Envase tipo carrete

$0.989

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: $1.91
26En existencias
1,500Se espera el 10/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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26En existencias

1,500Se espera el 10/8/2026

Cinta cortada

$1.91

$1.18

$0.78

$0.613

$0.524

Envase tipo carrete

$0.524

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: $8.36
33,673En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

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Hoja de datos

33,673En pedido

Cinta cortada

$8.36

$5.89

$4.76

$4.23

$3.75

Envase tipo carrete

$3.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: $4.22
13,380En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Hoja de datos

13,380En pedido

Cinta cortada

$4.22

$2.76

$2.06

Envase tipo carrete

$2.06

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470

: 1,500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: $4.17
5,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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5,907En pedido

Cinta cortada

$4.17

$2.73

$2.04

Envase tipo carrete

$2.04

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $2.57
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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5,897En pedido

Cinta cortada

$2.57

$1.63

$1.10

Envase tipo carrete

$1.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: $2.17
5En existencias
10,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Hoja de datos

5En existencias

10,500En pedido

Cinta cortada

$2.17

$1.38

$0.931

$0.754

$0.676

Envase tipo carrete

$0.676

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: $3.84
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

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Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Cinta cortada

$3.84

$2.50

$1.76

$1.47

$1.28

Envase tipo carrete

$1.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

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