Resultados: 11
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,590En existencias
1,000En pedido
Cinta cortada
$38.64
$31.53
$27.86
$27.70
Envase tipo carrete
$26.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,011En existencias
Cinta cortada
$27.78
$19.19
$19.14
$18.09
Envase tipo carrete
$16.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245En existencias
Cinta cortada
$17.81
$13.57
$11.31
$10.08
Envase tipo carrete
$9.41
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,603En existencias
Cinta cortada
$13.53
$8.26
$8.10
Envase tipo carrete
$7.71
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502En existencias
1,000Se espera el 6/5/2027
Cinta cortada
$9.38
$6.41
$5.28
$4.71
Envase tipo carrete
$4.41
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,605En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$5.27
$2.74
$2.49
$2.20
Envase tipo carrete
$2.19
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79En existencias
1,000Se espera el 31/12/2026
Cinta cortada
$11.41
$8.07
$6.72
$5.99
Envase tipo carrete
$5.60
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 227En existencias
2,000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
$8.21
$5.78
$4.68
$4.16
Envase tipo carrete
$3.68
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 206En existencias
4,000En pedido
Cinta cortada
$6.46
$4.23
$3.12
$2.77
Envase tipo carrete
$2.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1,999Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
$20.32
$15.18
$13.13
$12.43
Envase tipo carrete
$11.61
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
$7.14
$4.78
$3.84
$3.41
Envase tipo carrete
$3.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement