NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs

onsemi NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs feature 150V drain-to-source voltage (V(BR)DSS) and low switching noises/EMI. These devices offer low QG and capacitance to minimize driver losses and low RDS(on) to minimize conduction losses. The NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC MOSFETs are available in a Pb-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant D2PAK7 package. Typical applications include power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, home automation, industrial forklifts, and traction control systems.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 1,205En existencias
Cinta cortada
$6.50
$4.23
$3.74
$3.54
Envase tipo carrete
$3.54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 969En existencias
Cinta cortada
$7.73
$4.25
$3.90
$3.70
Envase tipo carrete
$3.56
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape