Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

TK560P60Y,RQ
Toshiba
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TK560P60Y,RQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A

TK290P65Y,RQ
Toshiba
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TK290P65Y,RQ

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757-TK290P65YRQ

Toshiba

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$2.19

$1.55

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Envase tipo carrete

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A

TK290A60Y,S4X
Toshiba
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Toshiba

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$1.83

$1.60

$1.43

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380P60Y,RQ
Toshiba
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Toshiba

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

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+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape

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TK560P65Y,RQ
Toshiba
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Toshiba

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

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TK290A65Y,S4X
Toshiba
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$1.66

$1.59

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK290P60Y,RQ
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

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100 W

Enhancement

DTMOSV

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TK560A65Y,S4X
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TK560A65Y,S4X

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650 V

7 A

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4 V

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30 W

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DTMOSV

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N-Channel

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9.7 A

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- 30 V, 30 V

4 V

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30 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380A65Y,S4X
Toshiba
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TK380A65Y,S4X

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9.7 A

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- 30 V, 30 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

30 W

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DTMOSV

Tube

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TK380P65Y,RQ
Toshiba
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

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TK380P65Y,RQ

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757-TK380P65YRQ

Toshiba

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

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DTMOSV

Reel

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TK560A60Y,S4X
Toshiba
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7 A

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- 30 V, 30 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

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