Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET
2,107En existencias
$2.82
$1.82
$1.25
$1.02
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
8,751En existencias
$2.69
$1.56
$1.21
$0.995
$0.88
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET 849En existencias
$4.21
$2.14
$1.94
$1.59
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Si Through Hole TO-262-3 Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET 3,342En existencias
$4.03
$2.05
$1.86
$1.52
$1.51
Min.: 1
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Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
8,986En existencias
$3.07
$1.79
$1.32
$1.24
Min.: 1
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Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 11,018En existencias
$3.80
$2.05
$1.72
$1.43
$1.18
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Máx.: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
2,917En existencias
$3.04
$1.74
$1.44
$1.18
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
7,434En existencias
10,990En pedido
$2.67
$1.71
$1.33
$1.17
$1.09
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 12,360En existencias
$2.82
$1.67
$1.28
$1.18
$1.10
Min.: 1
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Máx.: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
805En existencias
2,000En pedido
$2.75
$1.35
$1.21
$1.08
$0.974
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp 718En existencias
Cinta cortada
$4.47
$2.29
$2.07
$1.62
Envase tipo carrete
$1.13
$1.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V 744En existencias
Cinta cortada
$4.07
$2.67
$1.87
$1.62
Envase tipo carrete
$1.46
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 84En existencias
2,400Se espera el 30/8/2027
Cinta cortada
$3.25
$2.09
$1.44
$1.37
Envase tipo carrete
$1.23
$1.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 1,027En existencias
Cinta cortada
$3.79
$2.48
$1.73
$1.34
Envase tipo carrete
$1.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 235En existencias
$4.27
$2.80
$2.09
$1.75
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Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube