|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.66
-
8,772En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
8,772En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
|
$0.784
|
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$0.699
|
|
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$0.549
|
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Ver
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$0.427
|
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|
$0.545
|
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|
$0.508
|
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$0.427
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC030N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.86
-
110En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
110En existencias
20,000En pedido
|
|
|
$3.86
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
179 A
|
3 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC060N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.91
-
168En existencias
-
40,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
168En existencias
40,000En pedido
Existencias:
168 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
25,000 Se espera el 24/9/2026
10,000 Se espera el 8/10/2026
5,000 Se espera el 5/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$2.91
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.04
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.766
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
97 A
|
6 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.48
-
61En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
61En existencias
20,000En pedido
Existencias:
61 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 29/4/2027
10,000 Se espera el 1/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$2.48
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.854
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.679
|
|
|
$0.831
|
|
|
$0.804
|
|
|
$0.679
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.05 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.95
-
80,864En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
80,864En pedido
En pedido:
864 Se espera el 15/10/2026
60,000 Se espera el 28/1/2027
20,000 Se espera el 4/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$6.95
|
|
|
$4.03
|
|
|
$3.07
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
230 A
|
2.24 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
254 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.49
-
19,790En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
19,790En pedido
|
|
|
$4.49
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
192 A
|
2.7 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.89
-
330En existencias
-
59,587En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
330En existencias
59,587En pedido
Existencias:
330 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
19,587 Se espera el 29/10/2026
40,000 Se espera el 4/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.645
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.433
|
|
|
$0.604
|
|
|
$0.555
|
|
|
$0.433
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
110,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
110,000En pedido
En pedido:
20,000 Se espera el 15/4/2027
5,000 Se espera el 29/4/2027
30,000 Se espera el 13/5/2027
25,000 Se espera el 20/5/2027
30,000 Se espera el 1/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
|
$2.03
|
|
|
$0.972
|
|
|
$0.844
|
|
|
$0.692
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.689
|
|
|
$0.685
|
|
|
$0.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.04 mOhms
|
20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
