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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.66
-
8,822En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
8,822En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
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$1.05
|
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$0.699
|
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$0.549
|
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$0.48
|
|
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Ver
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$0.48
|
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$0.427
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC060N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.89
-
14,929En existencias
-
14,988En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
14,929En existencias
14,988En pedido
Existencias:
14,929 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
4,988 Se espera el 29/7/2026
10,000 Se espera el 20/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.89
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.919
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.948
|
|
|
$0.934
|
|
|
$0.854
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
97 A
|
6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.76
-
21,924En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
21,924En existencias
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.11
|
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$0.726
|
|
|
$0.576
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.494
|
|
|
$0.439
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC030N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.79
-
110En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
110En existencias
10,000En pedido
|
|
|
$3.79
|
|
|
$2.48
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
179 A
|
3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.47
-
211En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
211En existencias
20,000En pedido
Existencias:
211 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 25/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.47
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.854
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.688
|
|
|
$0.766
|
|
|
$0.727
|
|
|
$0.688
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.95
-
89,012En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
89,012En pedido
En pedido:
9,012 Se espera el 15/10/2026
40,000 Se espera el 22/10/2026
40,000 Se espera el 17/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$6.95
|
|
|
$4.56
|
|
|
$3.36
|
|
|
$2.98
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.41
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
230 A
|
2.24 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
254 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.49
-
19,900En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
19,900En pedido
|
|
|
$4.49
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
192 A
|
2.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.17
-
100,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
100,000En pedido
En pedido:
30,000 Se espera el 1/4/2027
15,000 Se espera el 27/5/2027
25,000 Se espera el 3/6/2027
30,000 Se espera el 10/6/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.91
|
|
|
$0.722
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.703
|
|
|
$0.703
|
|
|
$0.703
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.04 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
