Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

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Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: $5.55
749En existencias
1,320Se espera el 31/8/2026

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STH315N10F7-2

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511-STH315N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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$2.15

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H2PAK-2

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1 Channel

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180 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1: $5.41
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511-STH315N10F7-6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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$5.41

$3.59

$2.69

$2.28

Envase tipo carrete

$2.27

$2.13

MouseReel Disponible

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TO-263-7

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1 Channel

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315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

STL100N10F7
STMicroelectronics
1: $3.24
2,352En existencias
2,275Se espera el 31/8/2026

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STL100N10F7

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511-STL100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

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$3.24

$1.62

$1.46

$1.18

$1.16

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$1.07

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Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

STL130N8F7
STMicroelectronics
1: $3.71
3,764En existencias

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STL130N8F7

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511-STL130N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

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$3.71

$2.42

$1.69

$1.38

$1.37

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135 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

STL40N10F7
STMicroelectronics
1: $2.28
3,511En existencias

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STL40N10F7

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511-STL40N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

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$2.28

$1.11

$0.974

$0.788

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$0.661

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

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- 20 V, 20 V

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14 nC

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+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: $1.62
6,461En existencias

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STL7N10F7

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511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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$1.03

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2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII

STP310N10F7
STMicroelectronics
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5,112En existencias

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STP310N10F7

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$2.84

$2.59

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Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH170N8F7-2
STMicroelectronics
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61En existencias

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STH170N8F7-2

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511-STH170N8F7-2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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$2.02

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250 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-6
STMicroelectronics
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STH270N8F7-6

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511-STH270N8F7-6

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315 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

STP100N10F7
STMicroelectronics
1: $2.88
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STP100N10F7

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511-STP100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

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$2.88

$1.42

$1.28

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100 V

80 A

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Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

STP240N10F7
STMicroelectronics
1: $4.86
79En existencias
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STP240N10F7

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511-STP240N10F7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

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$4.86

$2.81

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300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: $3.27
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STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: $4.44
1,000Se espera el 25/8/2026

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STH150N10F7-2

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511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

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1,000Se espera el 25/8/2026

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

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250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

STL90N10F7
STMicroelectronics
1: $2.32
5,987En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL90N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL90N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

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$2.32

$1.49

$1.01

$0.803

$0.737

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$0.679

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

16 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: $3.90
5,000Se espera el 24/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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5,000Se espera el 24/8/2026

$3.90

$2.00

$1.79

$1.47

$1.29

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: $5.91
1,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP270N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP270N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

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1,000Se espera el 16/10/2026

$5.91

$3.11

$2.83

$2.35

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: $3.68
997Se espera el 11/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

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997Se espera el 11/9/2026

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$3.68

$2.40

$1.68

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: $1.03
5,456Se espera el 19/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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5,456Se espera el 19/3/2027

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$1.03

$0.473

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$0.25

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-2
STMicroelectronics
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Plazo de entrega 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-2

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511-STH270N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

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Plazo de entrega 22 Semanas

Cinta cortada

$5.71

$3.81

$2.72

$2.45

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$2.12

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL180N6F7
STMicroelectronics
1: $3.14
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL180N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL180N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

79.5 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STP315N10F7
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Tube

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
4.5 A
7 A
8 A
12 A
16 A
19 A
20 A
21 A
25 A
35 A
45 A
70 A
80 A
90 A
110 A
120 A
145 A
180 A
545 A

1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
6 mOhms
6.8 mOhms
7 mOhms
7.3 mOhms
8 mOhms
10 mOhms

2.4 W
2.9 W
4.8 W
5 W
30 W
40 W
50 W
60 W
85 W
100 W
111 W
120 W
135 W
150 W
166 W
167 W
200 W
250 W
300 W
315 W