Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC034N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.49 18,504En existencias 5,000Se espera el 3/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC034N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	18,504En existencias 5,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada $2.49 $1.60 $1.09 $0.921 Envase tipo carrete $0.682 Ver $0.816 $0.804 $0.673 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	122 A	3.4 mOhms	20 V	3.2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V ISC040N10NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.05 5,262En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC040N10NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC040N10NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n channel optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	5,262En existencias	Cinta cortada $3.05 $1.52 $1.37 $1.10 Ver Envase tipo carrete $0.866 $1.08 $1.06 $0.866	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	4 mOhms	20 V	3.2 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.48 14,303En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	14,303En existencias	Cinta cortada $4.48 $2.29 $2.08 $1.77 $1.70 Envase tipo carrete $1.66	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.68 5,873En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,873En existencias	Cinta cortada $3.68 $2.16 $1.68 $1.41 $1.35 Envase tipo carrete $1.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.38 5,736En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,736En existencias	Cinta cortada $4.38 $2.24 $2.03 $1.71 $1.65 Envase tipo carrete $1.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.81 4,955En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,955En existencias	Cinta cortada $2.81 $1.48 $1.30 $1.08 Ver Envase tipo carrete $0.964 $1.04 $1.02 $0.964	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.71 4,897En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH54NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,897En existencias	Cinta cortada $2.71 $1.44 $1.27 $1.04 Ver Envase tipo carrete $0.928 $1.02 $0.999 $0.928	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.64 4,965En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH68NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH68NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,965En existencias	Cinta cortada $2.64 $1.29 $1.16 $0.929 Ver Envase tipo carrete $0.811 $0.908 $0.869 $0.811	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	338 A	680 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.14 5,674En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH80NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,674En existencias	Cinta cortada $3.14 $1.56 $1.41 $1.14 Ver Envase tipo carrete $1.03 $1.12 $1.07 $1.03	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	282 A	800 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.31 4,923En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH84NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH84NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,923En existencias	Cinta cortada $2.31 $1.13 $1.01 $0.801 Ver Envase tipo carrete $0.677 $0.775 $0.748 $0.677 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	275 A	840 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 ISC019N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.55 120En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC019N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	120En existencias	Cinta cortada $3.55 $2.32 $1.66 $1.39 $1.34 Envase tipo carrete $1.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	209 A	1.9 mOhms	20 V	3.2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC024N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.34 117En existencias 20,000Se espera el 28/1/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC024N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC024N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	117En existencias 20,000Se espera el 28/1/2027	Cinta cortada $3.34 $1.88 $1.50 $1.19 Ver Envase tipo carrete $0.95 $1.15 $1.11 $0.95	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	167 A	2.4 mOhms	20 V	3.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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