QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Id - Corriente de drenaje continua Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Frecuencia de trabajo máxima Frecuencia de trabajo mínima Tecnología
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Se espera el 26/11/2026
$517.44
$447.80
$430.38
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10Se espera el 26/11/2026
$517.44
$447.80
$430.38
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC