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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
- TJ40S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.41
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4,054En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
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4,054En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK65S04N1L,LQ
- Toshiba
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1:
$2.92
-
1,769En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
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1,769En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
- TB9057FG
- Toshiba
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1:
$10.49
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1,735En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-TB9057FG
|
Toshiba
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
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1,735En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
- TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.08
-
190En existencias
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2,000Se espera el 13/11/2026
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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190En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
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1:
$2.04
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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