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NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 40.16 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NTBG028N170M1

Fabricante N.º:

NTBG028N170M1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Hoja de datos:

NTBG028N170M1 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	71 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	222 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	428 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NTBG028N170M1
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	121 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns

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NTBG028N170M1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

MOSFET de carburo de silicio (SIC) 1700 V NTBG028N170M1

Los MOSFET de carburo de silicio (SIC) 1700V NTBG028N170M1 de Onsemi están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. Los MOSFET de onsemi cuentan con tecnología Planar que funciona de manera confiable con controladores de voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se controla con una unidad de puertas de 20 V, pero también funciona bien con una unidad de puertas de 18 V.

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Existencias:: 0

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En pedido:: 539

Se espera el 6/11/2026

5,600

2,400

Se espera el 5/1/2027

2,400

Se espera el 15/1/2027

800

Se espera el 10/5/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 30

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$40.16	$40.16
	$32.62	$326.20
	$31.24	$3,124.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$31.24	$24,992.00

NTBG028N170M1

Fabricante: onsemi

Descripción: MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Especificaciones

Documentos (1)

Hoja de datos

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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