U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ
1,836En existencias
Cinta cortada
$1.74
$0.825
$0.736
$0.579
Envase tipo carrete
$0.485
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PS-8 N-Channel 1 Channel 40 V 5 A 31.8 mOhms 20 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 1.96 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ
6,091En existencias
9,000Se espera el 2/3/2027
Cinta cortada
$1.18
$0.547
$0.485
$0.375
Envase tipo carrete
$0.294
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PS-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 44.6 nC - 55 C + 175 C 2.01 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package
3,109En existencias
Cinta cortada
$0.81
$0.369
$0.325
$0.298
Envase tipo carrete
$0.19
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 27.6 mOhms 20 V 2.5 V 10.1 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V
2,900En existencias
Cinta cortada
$0.97
$0.691
$0.43
$0.297
Envase tipo carrete
$0.195
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 25 mOhms 20 V 1.3 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz 3,479En existencias
32,000Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
$0.29
$0.128
$0.112
$0.082
Envase tipo carrete
$0.057
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 2.1 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1,100En existencias
Cinta cortada
$2.68
$1.32
$1.18
$0.946
Envase tipo carrete
$0.898
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 8 mOhms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
14,968Se espera el 1/1/2027
Cinta cortada
$0.76
$0.341
$0.30
$0.226
Envase tipo carrete
$0.172
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 107 mOhms 20 V 2.8 V 7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
11,120En pedido
Cinta cortada
$0.82
$0.507
$0.327
$0.249
Envase tipo carrete
$0.192
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054
6,000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
$2.11
$1.32
$0.869
$0.69
$0.613
Envase tipo carrete
$0.526
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 54 mOhms 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
2,861En existencias
3,000Se espera el 19/10/2026
Cinta cortada
$0.56
$0.251
$0.22
$0.165
Envase tipo carrete
$0.124
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
Cinta cortada
$0.75
$0.338
$0.297
$0.226
Envase tipo carrete
$0.225
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
$0.603
$0.589
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 10.3 mOhms 58 W AEC-Q100 U-MOSIV Reel