Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 16

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.24 4,655En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R600PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R600PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	4,655En existencias	Cinta cortada $2.24 $1.40 $0.922 $0.731 Envase tipo carrete $0.57 Ver $0.65 $0.594 $0.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	Thin-PAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	600 mOhms	20 V	4 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.70 3,183En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R210PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R210PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3,183En existencias	Cinta cortada $2.70 $1.33 $1.20 $0.957 $0.938 Envase tipo carrete $0.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	64 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.35 4,500En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R360PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R360PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	4,500En existencias	Cinta cortada $2.35 $1.32 $1.01 $0.815 $0.796 Envase tipo carrete $0.656	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.22 8,862En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	8,862En existencias	Cinta cortada $1.22 $0.568 $0.504 $0.391 Envase tipo carrete $0.319 Ver $0.378 $0.314 $0.28	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.88 5,568En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R360PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R360PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	5,568En existencias	Cinta cortada $1.88 $0.894 $0.786 $0.616 Envase tipo carrete $0.50 Ver $0.584 $0.475 $0.47	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.13 1,230En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K5PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K5PFD7SAT NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1,230En existencias	Cinta cortada $1.13 $0.522 $0.462 $0.357 Envase tipo carrete $0.279 Ver $0.338 $0.266 $0.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	1.5 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.54 996En existencias 2,500Se espera el 15/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K0PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	996En existencias 2,500Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada $1.54 $0.755 $0.626 $0.492 Envase tipo carrete $0.351 Ver $0.435 $0.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.24 961En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	961En existencias	Cinta cortada $1.24 $0.578 $0.56 $0.44 Envase tipo carrete $0.32 Ver $0.406 $0.286 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	3.6 A	2.9 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $3.69 39En existencias 1,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R125PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R125PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	39En existencias 1,000Se espera el 10/12/2026	$3.69 $1.86 $1.68 $1.36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	235 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.94 700En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R210PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R210PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	$2.94 $1.45 $1.31 $1.05 Ver $1.01 $1.00 $0.941	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.03 159En existencias 5,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	159En existencias 5,000En pedido	Cinta cortada $2.03 $1.08 $0.839 $0.631 Envase tipo carrete $0.518 $0.507 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	715 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.53 3,766En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3,766En existencias	Cinta cortada $1.53 $0.719 $0.64 $0.501 Envase tipo carrete $0.407 $0.382	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.08 2,625En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R2K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R2K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	2,625En existencias	Cinta cortada $1.08 $0.50 $0.442 $0.341 Envase tipo carrete $0.266 Ver $0.329 $0.258 $0.236	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3 A	2 Ohms	20 V	4 V	3.8 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.43 80,997Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPN60R600PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R600PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	80,997Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada $1.43 $0.668 $0.594 $0.463 Envase tipo carrete $0.367 Ver $0.455 $0.365 $0.342	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	6 A	600 mOhms	20 V	4.5 V	8.5 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.38 Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	Cinta cortada $2.38 $1.16 $1.02 $0.815 $0.774 Envase tipo carrete $0.656	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	549 mOhms	20 V	4 V	15.3 nC	- 40 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.93 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R1K0PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Cinta cortada $1.93 $1.21 $0.795 $0.631 Envase tipo carrete $0.492 Ver $0.561 $0.513 $0.481	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte