Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

2SK2009TE85LF
Toshiba
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2SK2009TE85LF

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757-2SK2009TE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

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N-Channel

1 Channel

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200 mA

2 Ohms

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1.5 V

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+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

SSM3K09FU,LF
Toshiba
1: $0.46
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21,000Se espera el 4/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K09FU,LF

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757-SSM3K09FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

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$0.46

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$0.178

$0.16

Envase tipo carrete

$0.137

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N-Channel

1 Channel

30 V

400 mA

700 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
1: $0.51
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SSM6L35FU(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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$0.51

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

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11 Ohms

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200 mW

Enhancement

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MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM6N44FE,LM
Toshiba
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SSM6N44FE,LM

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757-SSM6N44FELM

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$0.082

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100 mA

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FU,LF
Toshiba
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SSM3J15FU,LF

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757-SSM3J15FULF

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$0.047

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SOT-323-3

P-Channel

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AEC-Q101

MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FV,L3F
Toshiba
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SSM3J15FV,L3F

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757-SSM3J15FVL3F

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P-Channel

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30 V

100 mA

12 Ohms

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SSM3J35CT,L3F
Toshiba
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SSM3J35CT,L3F

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757-SSM3J35CTL3F

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MOSVI

Reel, Cut Tape

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SSM3K15F,LF
Toshiba
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SSM3K15F,LF

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MOSVI

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SSM3K16CT,L3F
Toshiba
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SSM3K16FS,LF
Toshiba
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SSM3K16FS,LF

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Reel, Cut Tape

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SSM3K16FU,LF
Toshiba
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SSM3K16FU,LF

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20 V

100 mA

3 Ohms

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AEC-Q101

MOSVI

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SSM3K16FV,L3F
Toshiba
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SSM3K16FV,L3F

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757-SSM3K16FVL3F

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MOSVI

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SSM3K44FS,LF
Toshiba
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SSM3K44FS,LF

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SOT-416-3

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1 Channel

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SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba
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SSM5N15FE(TE85L,F)

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757-SSM5N15FETE85LF

Toshiba

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30 V

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MOSVI

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SSM5N15FU,LF
Toshiba
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SSM5N15FU,LF

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757-SSM5N15FULF

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SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

MOSVI

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SSM5P15FU,LF
Toshiba
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SSM5P15FU,LF

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757-SSM5P15FULF

Toshiba

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$0.165

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SMD/SMT

SOT-353-5

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2 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

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1.7 V

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200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

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Toshiba
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SSM6P15FE(TE85L,F)

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757-SSM6P15FETE85LF

Toshiba

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SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

8 Ohms

- 20 V, 20 V

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AEC-Q100

MOSVI

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SSM6L35FE,LM
Toshiba
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SSM6L35FE,LM

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757-SSM6L35FELM

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

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20 V

100 mA, 180 mA

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AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6N35FE,LM
Toshiba
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SSM6N35FE,LM

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757-SSM6N35FELM

Toshiba

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ES6-6

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2 Channel

20 V

180 mA

20 Ohms, 20 Ohms

- 10 V, 10 V

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- 55 C

+ 150 C

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MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6N43FU,LF
Toshiba
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6,000Se espera el 4/9/2026

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SSM6N43FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N43FULF

Toshiba

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20 V

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+ 150 C

200 mW

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MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM5N16FU,LF
Toshiba
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N16FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$0.43

$0.261

$0.165

$0.123

Envase tipo carrete

$0.091

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

SSM6P35FE,LM
Toshiba
1: $0.52
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6P35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

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Cinta cortada

$0.52

$0.355

$0.225

$0.142

Envase tipo carrete

$0.092

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Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

MOSVI

Reel, Cut Tape

π-MOS VI MOSFETs

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