Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Ecuador

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación$ USD

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (V_gs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 4

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated 1: $2.06 22,821En existencias	N.º de artículo del Fabricante ZXMHC10A07N8TC N.º de artículo de Mouser 522-ZXMHC10A07N8TC	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9	Hoja de datos	22,821En existencias	Cinta cortada $2.06 $0.999 $0.88 $0.698 Envase tipo carrete $0.536 Ver $0.621 $0.532 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500			Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	4 Channel	100 V	850 mA, 1 A	700 mOhms, 1.45 Ohms	20 V	2 V	2.9 nC, 3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	870 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A ZXMHC3A01N8TC Diodes Incorporated 1: $1.85 21,257En existencias	N.º de artículo del Fabricante ZXMHC3A01N8TC N.º de artículo de Mouser 522-ZXMHC3A01N8TC	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A	Hoja de datos	21,257En existencias	Cinta cortada $1.85 $0.887 $0.771 $0.684 $0.612 Envase tipo carrete $0.496 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500			Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	4 Channel	30 V	2.06 A, 2.72 A	180 mOhms, 330 mOhms	20 V	1 V, 3 V	3.9 nC, 5.2 nC	- 55 C	+ 150 C	10.9 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET H-BRIDGE SOP-8L ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated 1: $1.83 5,418En existencias 5,000Se espera el 24/9/2027	N.º de artículo del Fabricante ZXMHC3F381N8TC N.º de artículo de Mouser 522-ZXMHC3F381N8TC	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET H-BRIDGE SOP-8L	Hoja de datos	5,418En existencias 5,000Se espera el 24/9/2027	Cinta cortada $1.83 $0.887 $0.754 $0.599 $0.532 Envase tipo carrete $0.485 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500			Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	4 Channel	30 V	4.13 A, 4.98 A	33 mOhms, 55 mOhms	20 V	1 V	9 nC, 12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	870 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated 1: $1.85 318En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ZXMHC6A07N8TC N.º de artículo de Mouser 522-ZXMHC6A07N8TC	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A	Hoja de datos	318En existencias 20,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ZXMHC6A07N8TC Existencias: 318 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,500 Se espera el 17/9/2027 17,500 Se espera el 22/9/2027 Plazo de entrega de fábrica: 40 Semanas	Cinta cortada $1.85 $0.887 $0.771 $0.684 $0.612 Envase tipo carrete $0.496 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500			Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	4 Channel	60 V	1.42 A, 1.8 A	250 mOhms, 400 mOhms	20 V	1 V	3.2 nC, 5.7 nC	- 55 C	+ 150 C	870 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel