CGHV96100F2

MACOM
941-CGHV96100F2
CGHV96100F2

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre MACOM CGHV96100F2
Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
Restricciones de envío:
 Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:  
Screw Mount
440210
N-Channel
100 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
Marca: MACOM
Configuración: Single
Kit de desarrollo: CGHV96100F2-TB
Ganancia: 12.4 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 9.6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 7.9 GHz
Potencia de salida: 131 W
Empaquetado: Tray
Producto: GaN HEMTs
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 10 V to 2 V
Peso de la unidad: 65.235 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.b.2
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.