|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
- IQE012N03LM5CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.63
-
4,000En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
|
|
4,000En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
224 A
|
1.15 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.83
-
6,909En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5SCAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
6,909En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
WHSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
47 A
|
580 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
82 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.1 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- BSC0504NSIATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.27
-
19,105En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0504NSIATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
19,105En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
72 A
|
3.7 mOhms
|
20 V
|
1.2 V
|
11.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
- BSZ0904NSIATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.43
-
14,046En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
|
|
14,046En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
40 A
|
4.6 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
17 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
37 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- IQE008N03LM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.64
-
3,923En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
3,923En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
253 A
|
850 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
64 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
89 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- IQE008N03LM5CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.85
-
2,092En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5CGAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
2,092En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
253 A
|
850 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
64 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
89 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
- BSC0901NSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.00
-
193En existencias
-
15,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
|
193En existencias
15,000En pedido
Existencias:
193 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 16/10/2026
10,000 Se espera el 22/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
100 A
|
1.6 mOhms
|
20 V
|
1.2 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- BSZ009NE2LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.15
-
32En existencias
-
10,000Se espera el 24/6/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
32En existencias
10,000Se espera el 24/6/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
40 A
|
960 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
92 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
- BSZ019N03LSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.16
-
2,003En existencias
-
40,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
|
|
2,003En existencias
40,000En pedido
Existencias:
2,003 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20,000 Se espera el 4/3/2027
20,000 Se espera el 30/9/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
149 A
|
2 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
- BSZ065N03LSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.17
-
4,188En existencias
-
5,000Se espera el 10/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
|
|
4,188En existencias
5,000Se espera el 10/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
49 A
|
6.5 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
10 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
26 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
- BSC011N03LSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.21
-
55,350En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
|
55,350En pedido
En pedido:
5,350 Se espera el 7/1/2027
25,000 Se espera el 28/1/2027
25,000 Se espera el 12/8/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
230 A
|
1.1 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
72 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- BSZ0506NSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.61
-
47,193En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
47,193En pedido
En pedido:
7,193 Se espera el 1/4/2027
20,000 Se espera el 22/4/2027
20,000 Se espera el 26/8/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
40 A
|
4.4 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
27 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- IQDH29NE2LM5CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.29
-
9,928Se espera el 23/9/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQDH29NE2LM5CGAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
9,928Se espera el 23/9/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
789 A
|
290 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
88 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
333 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- IQDH35N03LM5CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.88
-
14,819Se espera el 2/9/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQDH35N03LM5CGAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
14,819Se espera el 2/9/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
700 A
|
350 uOhms
|
20 V
|
2 V
|
91 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
278 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm
- BSG0812NDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.24
-
4,997En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSG0812NDATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm
|
|
4,997En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TISON-8
|
N-Channel
|
2 Channel
|
25 V
|
50 A
|
900 mOhms, 3.5 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
5.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
6.25 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.86
-
5,991Se espera el 28/1/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5CGSC
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
5,991Se espera el 28/1/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
WHTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
25 V
|
47 A
|
580 uOhms
|
16 V
|
2 V
|
82 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.1 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
- IQE012N03LM5CGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.10
-
6,000Se espera el 28/1/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
|
|
6,000Se espera el 28/1/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
WHTFN-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
224 A
|
1.15 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
107 W
|
Enhancement
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|