Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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$2.56

$1.62

$1.10

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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BSC109N10NS3 G

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Infineon Technologies

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BSZ340N08NS3 G

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BSZ900N15NS3 G

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BSC060N10NS3 G

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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$3.17

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$1.03

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Infineon Technologies
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BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

Infineon Technologies

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$1.68

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BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
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BSC057N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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TDSON-8

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1 Channel

80 V

100 A

4.7 mOhms

20 V

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56 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
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BSC252N10NSF G

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726-BSC252N10NSFG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Infineon Technologies
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726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

100 V

40 A

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2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.3 mOhms
7.2 mOhms
10.3 mOhms
10.8 mOhms
10.9 mOhms
11.8 mOhms
14 mOhms
16 mOhms
19.5 mOhms
20 mOhms
27 mOhms
27.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms