Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
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20,000En existencias
NRND

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IPD50R500CEAUMA1

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726-IPD50R500CEAUMA1

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Infineon Technologies

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SMD/SMT

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1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

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18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.97
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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
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IPD50R280CEAUMA1

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726-IPD50R280CEAUMA1

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DPAK-3 (TO-252-3)

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+ 150 C

119 W

Enhancement

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IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
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25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
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IPA50R500CEXKSA2

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726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

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$1.51

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- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

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IPA50R380CE
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+ 150 C

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IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
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IPA50R380CEXKSA2

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726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

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500 V

14.1 A

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24.8 nC

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29.2 W

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IPD50R380CEAUMA1
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IPD50R380CEAUMA1

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Enhancement

CoolMOS

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IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: $1.52
239En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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239En existencias

$1.52

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$0.619

$0.487

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

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+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.02
2,390En existencias
1,500Se espera el 28/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

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2,390En existencias

1,500Se espera el 28/7/2026

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$0.661

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

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+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: $0.85
3,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

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$0.20

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3.1 A

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $1.17
855En existencias
6,000Se espera el 8/7/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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855En existencias

6,000Se espera el 8/7/2027

Cinta cortada

$1.17

$0.791

$0.503

$0.337

$0.27

Envase tipo carrete

$0.152

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.82
325En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

325En existencias

Cinta cortada

$0.82

$0.511

$0.33

$0.252

Envase tipo carrete

$0.198

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: $0.74
2,422En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,422En existencias

Cinta cortada

$0.74

$0.535

$0.347

$0.252

Envase tipo carrete

$0.19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.92
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,500En pedido

$2.92

$1.89

$1.30

$1.04

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: $2.91
500Se espera el 28/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

500Se espera el 28/7/2026

$2.91

$1.88

$1.29

$1.04

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.92
995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

995En existencias

$2.92

$1.89

$1.30

$1.04

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

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