Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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3.6 A

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P-Channel

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12 V

1.2 V

7 nC

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+ 150 C

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1 V

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750 mA
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1.5 A
1.6 A
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2.2 A
2.9 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.4 A
3.6 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.4 A
4.5 A

2.4 mOhms
4.5 mOhms
9 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
29.81 mOhms
30 mOhms
32 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms

900 pC
1.4 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.7 nC
1.8 nC
4.1 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.7 nC
5.8 nC
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6.7 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC