|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
- TJ40S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$2.41
-
4,054En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
|
|
4,054En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
- TK65S04N1L,LQ
- Toshiba
-
1:
$2.92
-
1,769En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
|
|
1,769En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
- 2SD1223(TE16L1,NQ)
- Toshiba
-
1:
$1.52
-
685En existencias
-
2,000Se espera el 18/2/2027
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
|
|
685En existencias
2,000Se espera el 18/2/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
- TJ20S04M3L(T6L1,NQ
- Toshiba
-
1:
$2.01
-
236En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
|
|
236En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
|