Resultados: 49
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
1,648En existencias
Cinta cortada
$5.92
$3.11
$2.84
$2.65
$2.43
Envase tipo carrete
$2.43
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.23 mOhms 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
1,079En existencias
Cinta cortada
$4.03
$1.59
$1.43
Envase tipo carrete
$1.43
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 302 A 900 uOhms 20 V 2.1 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1,397En existencias
$3.26
$1.63
$1.47
$1.19
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3,403En existencias
$4.43
$1.78
$1.63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
6,322En existencias
Cinta cortada
$1.89
$0.90
$0.804
$0.635
Ver
Envase tipo carrete
$0.511
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.9 mOhms 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1,215En existencias
Cinta cortada
$2.95
$1.12
$1.01
$0.97
Envase tipo carrete
$0.935
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
Hoja de datos
3,930En existencias
Cinta cortada
$1.21
$0.446
$0.406
$0.353
Envase tipo carrete
$0.291
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
Hoja de datos
3,241En existencias
Cinta cortada
$1.08
$0.496
$0.448
$0.349
Envase tipo carrete
$0.255
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 6.3 mOhms 20 V 1.8 V 31 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
4,237En existencias
Cinta cortada
$1.03
$0.475
$0.42
$0.323
Envase tipo carrete
$0.234
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 8.6 mOhms 20 V 1.2 V 5.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement OptiMOS ~ StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
8,951En existencias
Cinta cortada
$2.65
$1.70
$1.16
$0.982
Envase tipo carrete
$0.822
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
4,955En existencias
Cinta cortada
$1.73
$0.821
$0.732
$0.576
Envase tipo carrete
$0.424
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 2.8 mOhms 20 V 2.35 V 27 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
3,904En existencias
Cinta cortada
$5.88
$3.08
$2.81
$2.55
$2.40
Envase tipo carrete
$2.40
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 315 A 1.5 mOhms 20 V 2.2 V 161 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
2,990En existencias
Cinta cortada
$2.52
$1.24
$1.11
$0.884
$0.859
Envase tipo carrete
$0.763
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 4 mOhms 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
2,131En existencias
Cinta cortada
$2.34
$1.14
$1.02
$0.813
Envase tipo carrete
$0.767
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
Hoja de datos
473,608En existencias
Cinta cortada
$0.27
$0.117
$0.102
$0.075
Envase tipo carrete
$0.054
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.6 Ohms 20 V 1.5 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
Hoja de datos
227,322En existencias
Cinta cortada
$0.45
$0.24
$0.21
$0.157
Envase tipo carrete
$0.117
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.4 A 63 mOhms 12 V 800 mV 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
774En existencias
Cinta cortada
$3.16
$1.57
$1.42
$1.15
$1.12
Envase tipo carrete
$1.03
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 139 A 2.85 mOhms 20 V 2.1 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
Hoja de datos
1,504En existencias
2,000Se espera el 26/11/2026
Cinta cortada
$2.11
$1.02
$0.908
$0.72
Envase tipo carrete
$0.673
$0.588
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
Hoja de datos
7,805En existencias
Cinta cortada
$0.94
$0.431
$0.381
$0.292
Envase tipo carrete
$0.224
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
Hoja de datos
36,149En existencias
24,000Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
$0.67
$0.30
$0.264
$0.20
Envase tipo carrete
$0.152
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4,246En existencias
Cinta cortada
$6.90
$3.67
$3.36
$2.98
Envase tipo carrete
$2.98
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1,338En existencias
$4.53
$2.48
$2.25
$1.86
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
6,337En existencias
$2.89
$1.43
$1.29
$1.04
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3,967En existencias
$2.30
$1.12
$0.997
$0.794
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
Hoja de datos
4,628En existencias
5,000Se espera el 20/10/2026
$2.81
$1.39
$1.25
$1.00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube