Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.28 1,661En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT063N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,661En existencias	Cinta cortada $6.28 $3.32 $3.08 $2.84 $2.63 Envase tipo carrete $2.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	122 A	6.3 mOhms	20 V	4.6 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.88 1,953En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT039N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT039N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,953En existencias	Cinta cortada $6.88 $3.67 $3.35 $3.15 $2.97 Envase tipo carrete $2.97	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	150 V	190 A	4.3 mOhms	20 V	4.6 V	78 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.61 2,467En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT044N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT044N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,467En existencias	Cinta cortada $6.61 $3.51 $3.21 $2.98 $2.87 Envase tipo carrete $2.78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	174 A	4.4 mOhms	20 V	4.6 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.50 2,640En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT054N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT054N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,640En existencias	Cinta cortada $6.50 $3.44 $3.14 $2.91 $2.80 Envase tipo carrete $2.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	143 A	5.4 mOhms	20 V	4.6 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPP076N15N5XKSA1 IPP076N15N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.73 404En existencias 1,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP076N15N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N15N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	404En existencias 1,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP076N15N5XKSA1 Existencias: 404 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,000 Se espera el 1/4/2027 500 Se espera el 8/4/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	$4.73 $2.43 $2.21 $1.81 $1.78	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	112 A	7.6 mOhms	20 V	4.6 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.08 4,000Se espera el 20/5/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC093N15NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S93N15NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,000Se espera el 20/5/2027	Cinta cortada $5.08 $2.63 $2.39 $2.19 Ver Envase tipo carrete $1.97 $2.11 $2.09 $1.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	89 A	9.3 mOhms	20 V	3 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $5.71 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQD063N15NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD063N15NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $5.71 $3.82 $3.09 $2.93 $2.91 Envase tipo carrete $2.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	150 V	148 A	6.32 Ohms	10 V	3 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte