Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Ecuador

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Resultados: 4

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 IPB107N20NAXT Infineon Technologies 1: $10.58 3,834En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20NAXT N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,834En existencias	Cinta cortada $10.58 $7.48 $6.23 $5.55 Envase tipo carrete $5.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB107N20N3 G Infineon Technologies 1: $7.13 3,060En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,060En existencias	Cinta cortada $7.13 $5.52 Envase tipo carrete $5.52 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB320N20N3 G Infineon Technologies 1: $4.10 5,572En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB320N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	5,572En existencias	Cinta cortada $4.10 $2.68 $1.95 $1.70 Envase tipo carrete $1.43 $1.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	34 A	28 mOhms	20 V	2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 IPP110N20N3 G Infineon Technologies 1: $6.03 2,840Se espera el 11/2/2027	N.º de artículo del Fabricante IPP110N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP110N20N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	2,840Se espera el 11/2/2027	$6.03 $3.95 $2.95 $2.46 $2.16	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.9 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube