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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Semiconductores
Semiconductores discretos
Transistores
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Paquete / Cubierta
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Dp - Disipación de potencia
TO-220-3
TO-247-3
TO-247-4
Reiniciar
650 V
700 V
≤
≥
Reiniciar
36 A
50 A
68.5 A
69 A
≤
≥
Reiniciar
29 mOhms
41 mOhms
60 mOhms
≤
≥
Reiniciar
10 V
20 V
≤
≥
Reiniciar
3.5 V
4 V
4.5 V
≤
≥
Reiniciar
68 nC
102 nC
145 nC
≤
≥
Reiniciar
171 W
227 W
305 W
500 W
≤
≥
Reiniciar
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Cantidad
RoHS
Modelo ECAD
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$8.87
268
En existencias
NRND
N.º de artículo del Fabricante
IPW65R060CFD7XKSA1
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R060CFD7SA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Obtenga más información
sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets
Hoja de datos
268
En existencias
1
$8.87
10
$5.41
100
$4.56
480
$4.10
Comprar
Min.:
1
Mult.:
1
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
60 mOhms
10 V
3.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
171 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$11.95
136
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IPW65R029CFD7XKSA1
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726-IPW65R029CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Obtenga más información
sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets
Hoja de datos
136
En existencias
1
$11.95
10
$8.12
100
$7.80
Comprar
Min.:
1
Mult.:
1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
700 V
69 A
29 mOhms
20 V
4.5 V
145 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.89
300
En existencias
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IPP65R041CFD7XKSA1
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R041CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Hoja de datos
300
En existencias
1
$9.89
10
$6.10
100
$5.29
500
$4.67
Comprar
Min.:
1
Mult.:
1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
50 A
41 mOhms
20 V
4.5 V
102 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$15.55
181
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Hoja de datos
181
En existencias
1
$15.55
10
$11.84
100
$9.87
480
$8.79
1,200
$8.22
Comprar
Min.:
1
Mult.:
1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
69 A
29 mOhms
20 V
4.5 V
145 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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$8.11
71
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Hoja de datos
71
En existencias
1
$8.11
10
$4.38
100
$4.02
500
$3.69
Comprar
Min.:
1
Mult.:
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
60 mOhms
10 V
4.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
171 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$10.93
198
En existencias
480
Se espera el 12/10/2026
N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFD7XKSA1
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Obtenga más información
sobre Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets
Hoja de datos
198
En existencias
480
Se espera el 12/10/2026
1
$10.93
10
$5.95
100
$5.51
480
$5.48
Comprar
Min.:
1
Mult.:
1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
700 V
68.5 A
41 mOhms
20 V
4 V
102 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
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