TM Single Switch Power Modules

Wolfspeed TM Single Switch Power Modules address a broad range of inverter power levels. These devices are automotive-qualified single-switch power modules in an industry-standard footprint designed for high reliability and broad inverter system scalability, and extended creepage. The TM platform switches fast and clean to deliver high efficiency. Sinterable or solderable backsides and laser-weldable power terminals optimize the platform for automated inverter assembly. Available in various current ratings up to 1200V/320A and 650V/440A, the TM meets the AQG 324 automotive power module standard. The Wolfspeed TM platform offers an extended operating junction temperature of 200°C for up to 100h over device lifetime.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Se espera el 8/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 3.3mohm, 650V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Se espera el 8/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 650 V 440 A 4.1 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive
Hoja de datos
300Se espera el 8/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C
Wolfspeed Módulos MOSFET SiC, Module, 4.6mohm, 1200V, TM, Automotive, Long Phase Terminals
Hoja de datos
300Se espera el 8/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1 Channel 1.2 kV 320 A 6.3 mOhms - 8 V, 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C