D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

Resultados: 34
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
3,642En existencias
$10.89
$7.01
$6.67
$6.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
786En existencias
$26.70
$19.89
$18.23
$17.38
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET
Hoja de datos
502En existencias
$24.87
$15.73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Hoja de datos
1,703En existencias
$5.72
$3.00
$2.55
$2.30
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Hoja de datos
3,471En existencias
$3.10
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
Hoja de datos
679En existencias
$20.04
$13.87
$11.65
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Hoja de datos
697En existencias
$9.02
$4.93
$4.52
$4.21
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL
Hoja de datos
275En existencias
300Se espera el 26/10/2026
$23.89
$16.99
$16.69
$15.73
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET
Hoja de datos
861En existencias
$20.30
$12.68
$12.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET
Hoja de datos
302En existencias
$28.25
$18.62
$18.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Hoja de datos
469En existencias
$13.89
$7.76
$7.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 1000V 800MA
Hoja de datos
1,667En existencias
$4.75
$2.64
$2.25
$1.89
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Hoja de datos
886En existencias
1,000Se espera el 30/9/2026
$6.58
$3.49
$3.18
$3.12
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
Hoja de datos
1,240En existencias
$4.77
$2.98
$2.88
$2.80
$2.76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
Hoja de datos
525En existencias
$11.86
$6.90
$6.37
$6.30
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
360En existencias
450Se espera el 3/11/2026
$27.06
$18.24
$17.44
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
6,445En existencias
$4.36
$2.87
$1.93
$1.64
$1.63
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
Hoja de datos
52En existencias
3,050En pedido
$4.88
$2.57
$2.32
$1.83
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV .8A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
3En existencias
400Se espera el 15/12/2026
$6.88
$4.12
$3.31
$3.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
Hoja de datos
556En existencias
40Se espera el 28/10/2026
$4.71
$2.41
$2.19
$2.04
$1.80
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 1A N-CH DEPL
Hoja de datos
300En existencias
$7.98
$5.34
$4.29
$3.81
$3.38
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6Amps 1000V
Hoja de datos
163En existencias
$13.83
$8.02
$7.45
$7.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS 500V 800MA
Hoja de datos
465En existencias
$4.32
$2.59
$2.03
$1.65
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 2.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
Hoja de datos
593En existencias
$5.50
$2.87
$2.60
$2.18
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
Hoja de datos
237En existencias
$5.50
$2.87
$2.60
$2.21
$2.18
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 1.6 A 2.3 Ohms 20 V 4.5 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube