TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds 357En existencias
300Se espera el 24/12/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds 333En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 3,091En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2,436En existencias
2,825Se espera el 25/11/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W 1,616En existencias
1,350Se espera el 18/12/2026
Min.: 1
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Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W 2,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP 5,496En existencias
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Máx.: 90

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 332En existencias
625Se espera el 16/10/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 520En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBTs 600V/30A DIS 134En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt 88En existencias
4,200En pedido
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SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt 60En existencias
3,000En pedido
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V 28En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V 9En existencias
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V 9En existencias
Min.: 1
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V 30En existencias
Min.: 1
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds 69En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds 220En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds 54En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds 117En existencias
300Se espera el 1/9/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds 366En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET 130En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds 184En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH 274En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds 148En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3