|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA104501EH-V1-R0
- MACOM
-
50:
$522.92
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA104501EH-V1-R250
- MACOM
-
250:
$497.09
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R250
- MACOM
-
250:
$42.11
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120501EA-V1-R0
- MACOM
-
50:
$60.03
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120501EA-V1-R250
- MACOM
-
250:
$52.52
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501EC-V2-R0
- MACOM
-
50:
$342.51
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501EC-V2-R250
- MACOM
-
250:
$340.84
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$343.65
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$340.84
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA127002EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
$514.88
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA127002EV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC210552FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$67.14
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC210552FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$60.48
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAD184218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$175.91
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAD184218FV-V1-R2
- MACOM
-
250:
$164.33
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAD214218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$175.91
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD214218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$85.54
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$77.92
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXFC192207FH-V3-R250
- MACOM
-
250:
$116.89
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC192207FH3R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
- PXFE181507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$70.40
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
- PXFE181507FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$63.42
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$70.40
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$63.42
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA084858NF-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA084858NFV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA095908NB-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA095908NBV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA097058NB-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA097058NBV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|