RF Power MOSFET Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 18
Mult.: 18

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
Hoja de datos
Plazo de entrega 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 40
Mult.: 40
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60
: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60
: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250