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Interfaz IC RS-232 Transcvr 3Drvr/5Rcvr
- ST3241ECPR
- STMicroelectronics
-
1:
$3.74
-
3,227En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-ST3241ECP
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STMicroelectronics
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Interfaz IC RS-232 Transcvr 3Drvr/5Rcvr
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3,227En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,350
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Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
- ST732M50R
- STMicroelectronics
-
1:
$0.86
-
5,034En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-ST732M50R
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
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5,034En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
- STB18NF30
- STMicroelectronics
-
1:
$3.48
-
1,400En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STB18NF30
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
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1,400En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
- STBC03JR
- STMicroelectronics
-
1:
$3.74
-
3,831En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STBC03JR
|
STMicroelectronics
|
Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
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3,831En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
- STBP120CVDK6F
- STMicroelectronics
-
1:
$1.41
-
2,543En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STBP120CVDK6F
|
STMicroelectronics
|
Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
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2,543En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
- STCH03TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.59
-
3,302En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STCH03TR
|
STMicroelectronics
|
Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
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3,302En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
- STD10N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.73
-
9,440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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9,440En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
- STD3NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.09
-
3,825En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
|
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3,825En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
- STD4N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
3,505En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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3,505En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Reguladores y monitores de potencia y corriente Electronic fuse for 12 V line
- STEF12EPUR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.35
-
4,596En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STEF12EPUR
|
STMicroelectronics
|
Reguladores y monitores de potencia y corriente Electronic fuse for 12 V line
|
|
4,596En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STF11NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$7.79
-
850En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
850En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF23N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.52
-
740En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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|
740En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF3LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.21
-
3,066En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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3,066En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBTs PowerMESH TM IGBT
- STGB6NC60HDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.62
-
6,920En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB6NC60HDT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs PowerMESH TM IGBT
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|
6,920En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
- STGF7H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.08
-
4,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
|
|
4,858En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
- STGIPN3H60A
- STMicroelectronics
-
1:
$9.12
-
466En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60A
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
|
|
466En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
- STGW40H60DLFB
- STMicroelectronics
-
1:
$6.51
-
606En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H60DLFB
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
|
|
606En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
- STGW75H65DFB2-4
- STMicroelectronics
-
1:
$8.72
-
591En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75H65DFB2-4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
|
|
591En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
- STGW75M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$7.92
-
624En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
|
|
624En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
- STH240N10F7-2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.29
-
905En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
|
|
905En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STHU32N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.54
-
1,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STHU32N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
1,200En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
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Aisladores digitales Dual channel digital isolator
- STISO621WTR
- STMicroelectronics
-
1:
$2.21
-
7,121En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STISO621WTR
|
STMicroelectronics
|
Aisladores digitales Dual channel digital isolator
|
|
7,121En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
- STL12P6F6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.45
-
4,626En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL12P6F6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
|
|
4,626En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
- STL260N4F7
- STMicroelectronics
-
1:
$3.93
-
5,018En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
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5,018En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
- STL60N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.00
-
23,083En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
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23,083En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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